内存时序是越高越好还是越低越好

摘要： 内存时序并不是越高越好，而是越低越好。内存时序是指内存工作时...

内存时序并不是越高越好，而是越低越好。

内存时序是指内存工作时的时钟周期，通常以CL、TRCD、TRP、TRAS等参数表示。这些参数数值越小，表示内存的时序越低，内存的性能也就越好。因为更低的内存时序意味着内存可以更快地完成数据读写操作，从而提高系统性能。

拓展资料：

1.CL（CASLatency）：CAS延迟，表示内存控制器向内存颗粒发出读/写命令后，内存颗粒需要经过多少个时钟周期才能开始传输数据。

2.TRCD（RAStoCASDelay）：行地址至列地址延迟，表示从行地址选通脉冲发出到列地址选通脉冲发出之间的时间间隔。

3.TRP（RASPrecharge）：行地址选通预充电时间，表示从行地址选通脉冲发出到下一个行地址选通脉冲发出之间的时间间隔。

4.TRAS（ActivetoPrechargeDelay）：行地址选通至预充电延迟，表示从行地址选通脉冲发出到开始预充电之间的时间间隔。

5.TRC（RowCycleDelay）：行周期时间，表示内存完成一个完整操作周期所需要的时间，包括了TRAS和TRP。

综上所述，内存时序越低，内存的性能越好。因此，我们在选购内存时，除了关注内存容量、频率等因素外，还应关注内存的时序。