耗尽型大功率场效应管型号

摘要： 耗尽型大功率场效应管是一种常见的电子元器件，主要用于放大电流...

耗尽型大功率场效应管是一种常见的电子元器件，主要用于放大电流、电压控制和开关应用。以下是一些常见的耗尽型大功率场效应管型号：

1.IRF540N：这是一种N沟道MOSFET，最大漏极电流为33A，最大漏极-源极电压为100V，最大栅极-源极电压为20V。其封装形式为TO-220。

2.BUK8S40-65A：这是一种N沟道超级结MOSFET，最大漏极电流为40A，最大漏极-源极电压为65V，最大栅极-源极电压为25V。其封装形式为TO-263。

3.FDD8020：这是一种N沟道MOSFET，最大漏极电流为20A，最大漏极-源极电压为80V，最大栅极-源极电压为20V。其封装形式为SOT-223。

4.MBR20100CT：这是一种N沟道功率MOSFET，最大漏极电流为20A，最大漏极-源极电压为100V，最大栅极-源极电压为20V。其封装形式为TO-220。

5.BUK9Y50-30V：这是一种N沟道超级结MOSFET，最大漏极电流为50A，最大漏极-源极电压为30V，最大栅极-源极电压为25V。其封装形式为TO-252。

拓展资料：

1.耗尽型大功率场效应管在工作时，即使没有栅极电压，由于沟道内的载流子在制造过程中就已经存在，所以MOSFET会一直导通。

2.耗尽型大功率场效应管广泛应用于电源、电机控制、逆变器、开关电源等需要大电流和高电压的场合。

3.耗尽型大功率场效应管的选择，需要根据应用的电压、电流需求，以及封装形式等因素进行选择。

4.耗尽型大功率场效应管的参数包括最大漏极电流、最大漏极-源极电压、最大栅极-源极电压等，这些都是选择场效应管的重要依据。

5.耗尽型大功率场效应管的封装形式有TO-220、TO-263、SOT-223、TO-252等，不同的封装形式决定了器件的散热能力和安装方式。

以上就是一些常见的耗尽型大功率场效应管型号，具体选择哪种型号，需要根据实际应用的需求进行选择。在使用过程中，还需要注意其参数和封装形式，以保证其能够正常工作。